MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /

Furkejuvvon:
Bibliográfalaš dieđut
Váldodahkki: Chen, Jr-Tai (Dahkki)
Materiálatiipa: Elektrovnnalaš E-girji
Giella:eaŋgalasgiella
Almmustuhtton: Linkoping, Sweden : Linkoping University, 2015.
Ráidu:Linkoping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1662.
Fáttát:
Liŋkkat:Click to View
Fáddágilkorat: Lasit fáddágilkoriid
Eai fáddágilkorat, Lasit vuosttaš fáddágilkora!