MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
שמור ב:
| מחבר ראשי: | |
|---|---|
| פורמט: | אלקטרוני ספר אלקטרוני |
| שפה: | אנגלית |
| יצא לאור: |
Linkoping, Sweden :
Linkoping University,
2015.
|
| סדרה: | Linkoping studies in science and technology. Dissertations ;
Number 1662. |
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | Click to View |
| תגים: |
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
היה/י הראשונ/ה לכתוב הערה!