CVD solutions for new directions in SiC and GaN epitaxy /

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Li, Xun (Autor)
Format: Elektroniczne E-book
Język:angielski
Wydane: Linkoping, Sweden : Semiconductor Materials Division Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoping University, 2015.
Seria:Linkoping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1654.
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:Click to View
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!