Цитування запису:
Стиль цитування APA (7-ме видання)
Li, X. (2015). CVD solutions for new directions in SiC and GaN epitaxy. Semiconductor Materials Division Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoping University.
Успішно скопійовано в буфер обміну
Не вдалося скопіювати в буфер обміну
Чикаго стиль цитування (17-те видання)
Li, Xun. CVD Solutions for New Directions in SiC and GaN Epitaxy. Linkoping, Sweden: Semiconductor Materials Division Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoping University, 2015.
Успішно скопійовано в буфер обміну
Не вдалося скопіювати в буфер обміну
Стиль цитування MLA (9-ме видання)
Li, Xun. CVD Solutions for New Directions in SiC and GaN Epitaxy. Semiconductor Materials Division Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoping University, 2015.
Успішно скопійовано в буфер обміну
Не вдалося скопіювати в буфер обміну
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.