MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /

保存先:
書誌詳細
第一著者: Chen, Jr-Tai (著者)
フォーマット: 電子媒体 eBook
言語:英語
出版事項: Linkoping, Sweden : Linkoping University, 2015.
シリーズ:Linkoping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1662.
主題:
オンライン・アクセス:Click to View
タグ: タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!