MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /

Tallennettuna:
Bibliografiset tiedot
Päätekijä: Chen, Jr-Tai (Tekijä)
Aineistotyyppi: Elektroninen E-kirja
Kieli:englanti
Julkaistu: Linkoping, Sweden : Linkoping University, 2015.
Sarja:Linkoping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1662.
Aiheet:
Linkit:Click to View
Tagit: Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
Kuvaus
Ulkoasu:1 online resource (81 pages) : illustrations (some color).
Bibliografia:Includes bibliographical references.
ISBN:9789175190730
ISSN:0345-7524 ;