MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | Электронный ресурс eКнига |
| Язык: | английский |
| Опубликовано: |
Linkoping, Sweden :
Linkoping University,
2015.
|
| Серии: | Linkoping studies in science and technology. Dissertations ;
Number 1662. |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | Click to View |
| Метки: |
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| Объем: | 1 online resource (81 pages) : illustrations (some color). |
|---|---|
| Библиография: | Includes bibliographical references. |
| ISBN: | 9789175190730 |
| ISSN: | 0345-7524 ; |