Կազմի պատկեր

MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /

Ցույց տալ այլ տարբերակներ (3)
Պահպանված է:
Հիմնական հեղինակ: Chen, Jr-Tai (Հեղինակ)
Ձևաչափ: Էլեկտրոնային էլ․ գիրք
Լեզու:անգլերեն
Հրապարակվել է: Linkoping, Sweden : Linkoping University, 2015.
Շարք:Linkoping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1662.
Խորագրեր:
Semiconductors > Materials.
Epitaxy.
Electronic books.
Առցանց հասանելիություն:Click to View
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
Կազմի պատկեր

MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures / ‌ Chen, Jr-Tai

Հրապարակվել է 2015.
An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view
Էլեկտրոնային էլ․ գիրք
Պահել ցուցակում
Պահպանված է:
Կազմի պատկեր

MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures / ‌ Chen, Jr-Tai

Հրապարակվել է 2015.
Click to View
Էլեկտրոնային էլ․ գիրք
Պահել ցուցակում
Պահպանված է:
Կազմի պատկեր

MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures / ‌ Chen, Jr-Tai

Հրապարակվել է 2015.
An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view
Էլեկտրոնային էլ․ գիրք
Պահել ցուցակում
Պահպանված է:
Ցույց տալ բոլոր տարբերակները (4)

Նմանատիպ նյութեր