MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /

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Detalhes bibliográficos
Autor principal: Chen, Jr-Tai (Author)
Formato: Recurso Electrónico livro electrónico
Idioma:inglês
Publicado em: Linkoping, Sweden : Linkoping University, 2015.
Colecção:Linkoping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1662.
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MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures / Por Chen, Jr-Tai

Publicado em 2015.
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