MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
Tallennettuna:
| Päätekijä: | |
|---|---|
| Aineistotyyppi: | Elektroninen E-kirja |
| Kieli: | englanti |
| Julkaistu: |
Linkoping, Sweden :
Linkoping University,
2015.
|
| Sarja: | Linkoping studies in science and technology. Dissertations ;
Number 1662. |
| Aiheet: | |
| Linkit: | Click to View |
| Tagit: |
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
Search Result 1
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
Julkaistu 2015.
Click to View
Elektroninen
E-kirja
Search Result 2
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
Julkaistu 2015.
An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view
Elektroninen
E-kirja
Search Result 3
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
Julkaistu 2015.
An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view
Elektroninen
E-kirja