MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
Egile nagusia: Chen, Jr-Tai (Egilea)
Formatua: Baliabide elektronikoa eBook
Hizkuntza:ingelesa
Argitaratua: Linköping, Sweden : Linköping University, 2015.
Saila:Linköping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1662.
Gaiak:
Sarrera elektronikoa:An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view
Etiketak: Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!