MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | Электронный ресурс eКнига |
| Язык: | английский |
| Опубликовано: |
Linköping, Sweden :
Linköping University,
2015.
|
| Серии: | Linköping studies in science and technology. Dissertations ;
Number 1662. |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view |
| Метки: |
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|