MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Natura: | Elettronico eBook |
| Lingua: | inglese |
| Pubblicazione: |
Linköping, Sweden :
Linköping University,
2015.
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| Serie: | Linköping studies in science and technology. Dissertations ;
Number 1662. |
| Soggetti: | |
| Accesso online: | An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view |
| Tags: |
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