Цитирование APA (7-е изд.)
Chen, J. (2015). MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures. Linköping University.
Цитирование в стиле Чикаго (17-е изд.)
Chen, Jr-Tai. MOCVD Growth of GaN-based High Electron Mobility Transistor Structures. Linköping, Sweden: Linköping University, 2015.
Цитирование MLA (9-е изд.)
Chen, Jr-Tai. MOCVD Growth of GaN-based High Electron Mobility Transistor Structures. Linköping University, 2015.
Предупреждение: эти цитированмия не могут быть всегда правильны на 100%.