Αναφορές εγγραφής
Παραπομπή σε μορφή APA (7η εκδ.)
Chen, J. (2015). MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures. Linköping University.
Η αντιγραφή στο πρόχειρο ολοκληρώθηκε επιτυχώς
Η αντιγραφή στο πρόχειρο απέτυχε
Παραπομπή σε μορφή Chicago (17η εκδ.)
Chen, Jr-Tai. MOCVD Growth of GaN-based High Electron Mobility Transistor Structures. Linköping, Sweden: Linköping University, 2015.
Η αντιγραφή στο πρόχειρο ολοκληρώθηκε επιτυχώς
Η αντιγραφή στο πρόχειρο απέτυχε
Παραπομπή σε μορφή MLA (9th εκδ.)
Chen, Jr-Tai. MOCVD Growth of GaN-based High Electron Mobility Transistor Structures. Linköping University, 2015.
Η αντιγραφή στο πρόχειρο ολοκληρώθηκε επιτυχώς
Η αντιγραφή στο πρόχειρο απέτυχε
Πρόσοχή: Οι παραπομπές μπορεί να μην είναι 100% ακριβείς.