MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Định dạng: | Điện tử eBook |
| Ngôn ngữ: | Tiếng Anh |
| Được phát hành: |
Linköping, Sweden :
Linköping University,
2015.
|
| Loạt: | Linköping studies in science and technology. Dissertations ;
Number 1662. |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Những quyển sách tương tự: MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
- MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
- CVD solutions for new directions in SiC and GaN epitaxy /
- Semiconductor materials an introduction to basic principles /
- Silicon technologies ion implantation and thermal treatment /
- Characterizations of as grown and functionalized epitaxial graphene grown on SiC surfaces /
- Nitride semiconductor devices fundamentals and applications /