MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /

-д хадгалсан:
Номзүйн дэлгэрэнгүй
Үндсэн зохиолч: Chen, Jr-Tai (Зохиогч)
Формат: Цахим Цахим ном
Хэл сонгох:англи
Хэвлэсэн: Linköping, Sweden : Linköping University, 2015.
Цуврал:Linköping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1662.
Нөхцлүүд:
Онлайн хандалт:An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view
Шошгууд: Шошго нэмэх
Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!

Ижил төстэй зүйлс: MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /