MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /

Sparad:
Bibliografiska uppgifter
Huvudupphov: Chen, Jr-Tai (Författare, medförfattare)
Materialtyp: Elektronisk E-bok
Språk:engelska
Utgiven: Linköping, Sweden : Linköping University, 2015.
Serie:Linköping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1662.
Ämnen:
Länkar:An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view
Taggar: Lägg till en tagg
Inga taggar, Lägg till första taggen!
Beskrivning
Fysisk beskrivning:1 online resource (81 pages) : illustrations (some color).
Bibliografi:Includes bibliographical references.
ISBN:9789175190730 (ebook)
ISSN:0345-7524 ;