MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /

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Dettagli Bibliografici
Autore principale: Chen, Jr-Tai (Autore)
Natura: Elettronico eBook
Lingua:inglese
Pubblicazione: Linköping, Sweden : Linköping University, 2015.
Serie:Linköping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1662.
Soggetti:
Accesso online:An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view
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Descrizione
Descrizione fisica:1 online resource (81 pages) : illustrations (some color).
Bibliografia:Includes bibliographical references.
ISBN:9789175190730 (ebook)
ISSN:0345-7524 ;