MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /

Guardat en:
Dades bibliogràfiques
Autor principal: Chen, Jr-Tai (Autor)
Format: Electrònic eBook
Idioma:anglès
Publicat: Linköping, Sweden : Linköping University, 2015.
Col·lecció:Linköping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1662.
Matèries:
Accés en línia:An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view
Etiquetes: Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
Search Result 1

MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures / per Chen, Jr-Tai

Publicat 2015.
Click to View
Electrònic eBook