MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Chen, Jr-Tai (Συγγραφέας)
Μορφή: Ηλεκτρονική πηγή Ηλ. βιβλίο
Γλώσσα:Αγγλικά
Έκδοση: Linkoping, Sweden : Linkoping University, 2015.
Σειρά:Linkoping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1662.
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:Click to View
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!