MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /

Kaydedildi:
Detaylı Bibliyografya
Yazar: Chen, Jr-Tai (Yazar)
Materyal Türü: Elektronik Ekitap
Dil:İngilizce
Baskı/Yayın Bilgisi: Linkoping, Sweden : Linkoping University, 2015.
Seri Bilgileri:Linkoping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1662.
Konular:
Online Erişim:Click to View
Etiketler: Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!