MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /

Saved in:
Bibliografiske detaljer
Hovedforfatter: Chen, Jr-Tai (Author)
Format: Electronisk eBog
Sprog:engelsk
Udgivet: Linkoping, Sweden : Linkoping University, 2015.
Serier:Linkoping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1662.
Fag:
Online adgang:Click to View
Tags: Tilføj Tag
Ingen Tags, Vær først til at tagge denne postø!

Lignende værker: MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /