MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
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| Auteur principal: | |
|---|---|
| Format: | Électronique e-book |
| Langue: | anglais |
| Publié: |
Linkoping, Sweden :
Linkoping University,
2015.
|
| Collection: | Linkoping studies in science and technology. Dissertations ;
Number 1662. |
| Sujets: | |
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MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
Publié 2015.
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