MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
Zapisane w:
| 1. autor: | |
|---|---|
| Format: | Elektroniczne E-book |
| Język: | angielski |
| Wydane: |
Linkoping, Sweden :
Linkoping University,
2015.
|
| Seria: | Linkoping studies in science and technology. Dissertations ;
Number 1662. |
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | Click to View |
| Etykiety: |
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
Search Result 1
Search Result 2
Search Result 3
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
Wydane 2015.
Click to View
Elektroniczne
E-book