Ghi lại trích dẫn
Trích dẫn kiểu APA (xuất bản lần thứ 7)
Chen, J. (2015). MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures. Linkoping University.
Sao chép vào clipboard thành công
Sao chép vào clipboard thất bại
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)
Chen, Jr-Tai. MOCVD Growth of GaN-based High Electron Mobility Transistor Structures. Linkoping, Sweden: Linkoping University, 2015.
Sao chép vào clipboard thành công
Sao chép vào clipboard thất bại
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)
Chen, Jr-Tai. MOCVD Growth of GaN-based High Electron Mobility Transistor Structures. Linkoping University, 2015.
Sao chép vào clipboard thành công
Sao chép vào clipboard thất bại
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.