Chen, J. (2015). MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures. Linkoping University.
Copié avec succès vers le presse-papier
Échec de la copie vers le presse-papier
Style de citation Chicago (17e éd.)
Chen, Jr-Tai. MOCVD Growth of GaN-based High Electron Mobility Transistor Structures. Linkoping, Sweden: Linkoping University, 2015.
Copié avec succès vers le presse-papier
Échec de la copie vers le presse-papier
Style de citation MLA (9e éd.)
Chen, Jr-Tai. MOCVD Growth of GaN-based High Electron Mobility Transistor Structures. Linkoping University, 2015.
Copié avec succès vers le presse-papier
Échec de la copie vers le presse-papier
Attention : ces citations peuvent ne pas être correctes à 100%.