Citace záznamu
Citace podle APA (7th ed.)
Chen, J. (2015). MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures. Linkoping University.
Kopírování bylo úspěšné
Kopírování se nezdařilo
Citace podle Chicago (17th ed.)
Chen, Jr-Tai. MOCVD Growth of GaN-based High Electron Mobility Transistor Structures. Linkoping, Sweden: Linkoping University, 2015.
Kopírování bylo úspěšné
Kopírování se nezdařilo
Citace podle MLA (9th ed.)
Chen, Jr-Tai. MOCVD Growth of GaN-based High Electron Mobility Transistor Structures. Linkoping University, 2015.
Kopírování bylo úspěšné
Kopírování se nezdařilo
Upozornění: Tyto citace jsou generovány automaticky. Nemusí být zcela správně podle citačních pravidel..