MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Chen, Jr-Tai (Συγγραφέας)
Μορφή: Ηλεκτρονική πηγή Ηλ. βιβλίο
Γλώσσα:Αγγλικά
Έκδοση: Linkoping, Sweden : Linkoping University, 2015.
Σειρά:Linkoping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1662.
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:Click to View
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
Περιγραφή
Φυσική περιγραφή:1 online resource (81 pages) : illustrations (some color).
Βιβλιογραφία:Includes bibliographical references.
ISBN:9789175190730
ISSN:0345-7524 ;