MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | الكتروني كتاب الكتروني |
| اللغة: | الإنجليزية |
| منشور في: |
Linkoping, Sweden :
Linkoping University,
2015.
|
| سلاسل: | Linkoping studies in science and technology. Dissertations ;
Number 1662. |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | Click to View |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| وصف مادي: | 1 online resource (81 pages) : illustrations (some color). |
|---|---|
| بيبلوغرافيا: | Includes bibliographical references. |
| ردمك: | 9789175190730 |
| تدمد: | 0345-7524 ; |