Precursors and defect control for halogenated CVD of thick SiC epitaxial layers /
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | |
|---|---|
| বিন্যাস: | বৈদ্যুতিক বৈদ্যুতিন গ্রন্থ |
| ভাষা: | ইংরেজি |
| প্রকাশিত: |
Linkoping, Sweden :
Linkoping University,
2014.
|
| মালা: | Linkoping studies in science and technology. Dissertations ;
Number 1625. |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | Click to View |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
অনুরূপ উপাদানগুলি: Precursors and defect control for halogenated CVD of thick SiC epitaxial layers /
- Precursors and defect control for halogenated CVD of thick SiC epitaxial layers /
- Epitaxial Growth of Nitrides on Germanium /
- Epitaxial Growth of Nitrides on Germanium /
- Fullerene collision reactions
- Functionalization of graphene /
- Effective carbon rates 2018 : pricing carbon emissions through taxes and emissions trading /