Precursors and defect control for halogenated CVD of thick SiC epitaxial layers /
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριος συγγραφέας: | |
|---|---|
| Μορφή: | Ηλεκτρονική πηγή Ηλ. βιβλίο |
| Γλώσσα: | Αγγλικά |
| Έκδοση: |
Linkoping, Sweden :
Linkoping University,
2014.
|
| Σειρά: | Linkoping studies in science and technology. Dissertations ;
Number 1625. |
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | Click to View |
| Ετικέτες: |
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
Παρόμοια τεκμήρια: Precursors and defect control for halogenated CVD of thick SiC epitaxial layers /
- Precursors and defect control for halogenated CVD of thick SiC epitaxial layers /
- Epitaxial Growth of Nitrides on Germanium /
- Epitaxial Growth of Nitrides on Germanium /
- Graphene nanomaterials /
- Endohedral metallofullerenes : fullereness with metal inside /
- Effective carbon rates 2018 : pricing carbon emissions through taxes and emissions trading /