CVD solutions for new directions in SiC and GaN epitaxy /

সংরক্ষণ করুন:

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:	Li, Xun (লেখক)
বিন্যাস:	বৈদ্যুতিক বৈদ্যুতিন গ্রন্থ
ভাষা:	ইংরেজি
প্রকাশিত:	Linkoping, Sweden : Semiconductor Materials Division Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoping University, 2015.
মালা:	Linkoping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1654.
বিষয়গুলি:	Wide gap semiconductors > Materials. Gallium nitride. Optoelectronic devices. Electronic books.
অনলাইন ব্যবহার করুন:	Click to View
ট্যাগগুলো:	ট্যাগ যুক্ত করুন কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

CVD solutions for new directions in SiC and GaN epitaxy / অনুযায়ী Li, Xun

প্রকাশিত 2015.

Click to View

বৈদ্যুতিক বৈদ্যুতিন গ্রন্থ