CVD solutions for new directions in SiC and GaN epitaxy /

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Detalles Bibliográficos
Autor Principal: Li, Xun (Author)
Formato: Electrónico eBook
Idioma:inglés
Publicado: Linkoping, Sweden : Semiconductor Materials Division Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoping University, 2015.
Series:Linkoping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1654.
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