Modellierung der parasitaren passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen /
שמור ב:
| מחבר ראשי: | |
|---|---|
| פורמט: | אלקטרוני ספר אלקטרוני |
| שפה: | גרמנית |
| יצא לאור: |
Kassel, Germany :
Kassel University Press,
2014.
|
| סדרה: | Elektrische Energiesysteme ;
Band 6 |
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | Click to View |
| תגים: |
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
פריטים דומים: Modellierung der parasitaren passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen /
- Modellierung der parasitaren passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen /
- Maximierung der Leistungsdichte von selbstgefuhrten hochfrequenten Energiewandlern auf Basis ultraschneller Wide-Bandgap Bauelemente /
- Maximierung der Leistungsdichte von selbstgefuhrten hochfrequenten Energiewandlern auf Basis ultraschneller Wide-Bandgap Bauelemente /
- Semiconductor materials an introduction to basic principles /
- Semiconductor materials an introduction to basic principles /
- HeteroSiC & WASMPE 2011 : selected, peer reviewed papers from the 4th Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices for Power Electronics Applications (HeteroSiC & WASMPE 2011), June 27-30, 2011, Tours, France /