Modellierung der parasitaren passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen /
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | |
|---|---|
| বিন্যাস: | বৈদ্যুতিক বৈদ্যুতিন গ্রন্থ |
| ভাষা: | জার্মান |
| প্রকাশিত: |
Kassel, Germany :
Kassel University Press,
2014.
|
| মালা: | Elektrische Energiesysteme ;
Band 6 |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | Click to View |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
অনুরূপ উপাদানগুলি: Modellierung der parasitaren passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen /
- Semiconductor materials an introduction to basic principles /
- HeteroSiC & WASMPE 2011 : selected, peer reviewed papers from the 4th Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices for Power Electronics Applications (HeteroSiC & WASMPE 2011), June 27-30, 2011, Tours, France /
- Silicon technologies ion implantation and thermal treatment /
- Characterizations of as grown and functionalized epitaxial graphene grown on SiC surfaces /
- Maximierung der Leistungsdichte von selbstgefuhrten hochfrequenten Energiewandlern auf Basis ultraschneller Wide-Bandgap Bauelemente /
- MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /