Modellierung der parasitaren passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen /
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Médium: | Elektronický zdroj E-kniha |
| Jazyk: | němčina |
| Vydáno: |
Kassel, Germany :
Kassel University Press,
2014.
|
| Edice: | Elektrische Energiesysteme ;
Band 6 |
| Témata: | |
| On-line přístup: | Click to View |
| Tagy: |
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
Podobné jednotky: Modellierung der parasitaren passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen /
- HeteroSiC & WASMPE 2011 : selected, peer reviewed papers from the 4th Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices for Power Electronics Applications (HeteroSiC & WASMPE 2011), June 27-30, 2011, Tours, France /
- Semiconductor materials an introduction to basic principles /
- Maximierung der Leistungsdichte von selbstgefuhrten hochfrequenten Energiewandlern auf Basis ultraschneller Wide-Bandgap Bauelemente /
- Silicon technologies ion implantation and thermal treatment /
- Characterizations of as grown and functionalized epitaxial graphene grown on SiC surfaces /
- MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /