Electron paramagnetic resonance studies of point defects in AlGaN and SiC /
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակ: | |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Էլեկտրոնային էլ․ գիրք |
| Լեզու: | անգլերեն |
| Հրապարակվել է: |
Linkoping, Sweden :
Linkoping University Institute of Technology,
2015.
|
| Շարք: | Linkoping studies in science and technology. Dissertation ;
Number 1670. |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | Click to View |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
Նմանատիպ նյութեր: Electron paramagnetic resonance studies of point defects in AlGaN and SiC /
- Defects and diffusion, theory and simulation : an annual retrospective II /
- Defects and diffusion, theory and simulation : an annual retrospective I /
- Defects and diffusion in semiconductors.
- Defects and diffusion in semiconductors. an annual retrospective /
- Defects and diffusion in semiconductors XIII /
- Defects-recognition, imaging and physics in semiconductors XIV : selected, peer reviewed papers from the 14th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, September 25-29, 2011. Miyazaki, Japan /