MOSFET modeling for circuit analysis and design
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Korporativní autor: | |
| Další autoři: | |
| Médium: | Elektronický zdroj E-kniha |
| Jazyk: | angličtina |
| Vydáno: |
Singapore ; Hackensack, NJ :
World Scientific,
c2007.
|
| Edice: | International series on advances in solid state electronics and technology.
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view |
| Tagy: |
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
Podobné jednotky: MOSFET modeling for circuit analysis and design
- The physics and modeling of MOSFETS surface-potential model HiSIM /
- Silicon RF power MOSFETS
- Strain-engineered MOSFETs /
- Mosfet modeling for VLSI simulation theory and practice /
- Field effect transistors : a comprehensive overview : from basic concepts to novel technologies /
- Transient-induced latchup in CMOS integrated circuits