Device characterization and modeling of large-size GaN HEMTs
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | |
|---|---|
| সংস্থা লেখক: | |
| বিন্যাস: | গবেষণাপত্র বৈদ্যুতিক বৈদ্যুতিন গ্রন্থ |
| ভাষা: | ইংরেজি |
| প্রকাশিত: |
Kassel :
Kassel University Press,
2012.
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | Click to View |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
অনুরূপ উপাদানগুলি: Device characterization and modeling of large-size GaN HEMTs
- GaN transistors for efficient power conversion /
- CVD solutions for new directions in SiC and GaN epitaxy /
- GaN-based materials and devices growth, fabrication, characterization and performance /
- Silicon RF power MOSFETS
- Field effect transistors : a comprehensive overview : from basic concepts to novel technologies /
- The physics and modeling of MOSFETS surface-potential model HiSIM /