Device characterization and modeling of large-size GaN HEMTs
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակ: | |
|---|---|
| Համատեղ հեղինակ: | |
| Ձևաչափ: | Թեզիս Էլեկտրոնային էլ․ գիրք |
| Լեզու: | անգլերեն |
| Հրապարակվել է: |
Kassel :
Kassel University Press,
2012.
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | Click to View |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
Նմանատիպ նյութեր: Device characterization and modeling of large-size GaN HEMTs
- GaN transistors for efficient power conversion /
- CVD solutions for new directions in SiC and GaN epitaxy /
- GaN-based materials and devices growth, fabrication, characterization and performance /
- Silicon RF power MOSFETS
- Field effect transistors : a comprehensive overview : from basic concepts to novel technologies /
- The physics and modeling of MOSFETS surface-potential model HiSIM /