Characterizations of as grown and functionalized epitaxial graphene grown on SiC surfaces /
Wedi'i Gadw mewn:
Prif Awdur: | Xia, Chao (Awdur) |
---|---|
Fformat: | Electronig eLyfr |
Iaith: | Saesneg |
Cyhoeddwyd: |
Linkoping, Sweden :
Linkoping University,
2015.
|
Cyfres: | Linkoping studies in science and technology. Dissertations ;
Number 1689. |
Pynciau: | |
Mynediad Ar-lein: | Click to View |
Tagiau: |
Ychwanegu Tag
Dim Tagiau, Byddwch y cyntaf i dagio'r cofnod hwn!
|
Eitemau Tebyg
SiC materials and devices.
Cyhoeddwyd: (2006)
Cyhoeddwyd: (2006)
CVD solutions for new directions in SiC and GaN epitaxy /
gan: Li, Xun
Cyhoeddwyd: (2015)
gan: Li, Xun
Cyhoeddwyd: (2015)
HeteroSiC & WASMPE 2013 : selected, peer reviewed paper from the 2013 HeteroSiC-WASMPE, June 17-19, 2013, Nice, France /
Cyhoeddwyd: (2015)
Cyhoeddwyd: (2015)
HeteroSiC & WASMPE 2011 : selected, peer reviewed papers from the 4th Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices for Power Electronics Applications (HeteroSiC & WASMPE 2011), June 27-30, 2011, Tours, France /
Cyhoeddwyd: (2012)
Cyhoeddwyd: (2012)
SiC materials and devices
Cyhoeddwyd: (2007)
Cyhoeddwyd: (2007)
Compound semiconductor bulk materials and characterizations
gan: Oda, O.
Cyhoeddwyd: (2007)
gan: Oda, O.
Cyhoeddwyd: (2007)
Precursors and defect control for halogenated CVD of thick SiC epitaxial layers /
gan: Yazdanfar, Milan
Cyhoeddwyd: (2014)
gan: Yazdanfar, Milan
Cyhoeddwyd: (2014)
CMOS RF modeling, characterization and applications
Cyhoeddwyd: (2002)
Cyhoeddwyd: (2002)
Compound semiconductor bulk materials and characterizations
gan: Oda, Osamu
Cyhoeddwyd: (2012)
gan: Oda, Osamu
Cyhoeddwyd: (2012)
Electron paramagnetic resonance studies of point defects in AlGaN and SiC /
gan: Trinh, Xuan Thang
Cyhoeddwyd: (2015)
gan: Trinh, Xuan Thang
Cyhoeddwyd: (2015)
Advances in semiconducting materials /
Cyhoeddwyd: (2009)
Cyhoeddwyd: (2009)
GaN-based materials and devices growth, fabrication, characterization and performance /
Cyhoeddwyd: (2004)
Cyhoeddwyd: (2004)
Electrical characterization of organic electronic materials and devices
gan: Stallinga, Peter, 1966-
Cyhoeddwyd: (2009)
gan: Stallinga, Peter, 1966-
Cyhoeddwyd: (2009)
An introduction to the physics and electrochemistry of semiconductors : fundamentals and applications /
gan: Sharon, Maheshwar
Cyhoeddwyd: (2016)
gan: Sharon, Maheshwar
Cyhoeddwyd: (2016)
An essential guide to electronic material surfaces and interfaces /
gan: Brillson, L. J.
Cyhoeddwyd: (2016)
gan: Brillson, L. J.
Cyhoeddwyd: (2016)
Semiconductor materials an introduction to basic principles /
gan: Yacobi, B. G.
Cyhoeddwyd: (2003)
gan: Yacobi, B. G.
Cyhoeddwyd: (2003)
Advances in III-V semiconductor nanowires and nanodevices
Cyhoeddwyd: (2011)
Cyhoeddwyd: (2011)
Proceedings of the 13th Asian Conference on Solid State Ionics ionics for a sustainable world: Sendai Japan, 17-20 July 2012 /
Cyhoeddwyd: (2012)
Cyhoeddwyd: (2012)
Proceedings of the 10th Asian Conference on Solid State Ionics advanced materials for emerging technologies : Kandy, Sri Lanka, 12-16 June 2006 /
Cyhoeddwyd: (2006)
Cyhoeddwyd: (2006)
Functionalization of semiconductor surfaces
Cyhoeddwyd: (2012)
Cyhoeddwyd: (2012)
Device characterization and modeling of large-size GaN HEMTs
gan: Flores, Jaime Alberto Zamudio
Cyhoeddwyd: (2012)
gan: Flores, Jaime Alberto Zamudio
Cyhoeddwyd: (2012)
Materials for high-temperature semiconductor devices
Cyhoeddwyd: (1995)
Cyhoeddwyd: (1995)
Silicon technologies ion implantation and thermal treatment /
Cyhoeddwyd: (2011)
Cyhoeddwyd: (2011)
Electrical overstress (EOS) devices, circuits and systems /
gan: Voldman, Steven H.
Cyhoeddwyd: (2014)
gan: Voldman, Steven H.
Cyhoeddwyd: (2014)
Handbook of distributed feedback laser diodes /
gan: Morthier, Geert, et al.
Cyhoeddwyd: (2013)
gan: Morthier, Geert, et al.
Cyhoeddwyd: (2013)
Fundamentals of silicon carbide technology : growth, characterization, devices and applications /
gan: Kimoto, Tsunenobu, 1963-, et al.
Cyhoeddwyd: (2014)
gan: Kimoto, Tsunenobu, 1963-, et al.
Cyhoeddwyd: (2014)
The physics and modeling of MOSFETS surface-potential model HiSIM /
gan: Miura-Mattausch, Mitiko, 1949-
Cyhoeddwyd: (2008)
gan: Miura-Mattausch, Mitiko, 1949-
Cyhoeddwyd: (2008)
Semiconductor electrochemistry /
gan: Memming, Rüdiger, 1931-
Cyhoeddwyd: (2015)
gan: Memming, Rüdiger, 1931-
Cyhoeddwyd: (2015)
Transistors types, materials, and applications /
Cyhoeddwyd: (2010)
Cyhoeddwyd: (2010)
Nanoscaled semiconductor-on-insulator materials, sensors and devices : selected, peer reviewed papers from the 6th International Workshop on Semiconductor-on-Insulator Materials and Devices, 24-28 October, 2010 Kyiv, Ukraine /
Cyhoeddwyd: (2011)
Cyhoeddwyd: (2011)
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
gan: Chen, Jr-Tai
Cyhoeddwyd: (2015)
gan: Chen, Jr-Tai
Cyhoeddwyd: (2015)
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
gan: Chen, Jr-Tai
Cyhoeddwyd: (2015)
gan: Chen, Jr-Tai
Cyhoeddwyd: (2015)
Advances in silicon carbide processing and applications
Cyhoeddwyd: (2004)
Cyhoeddwyd: (2004)
III-nitride semiconductor materials /
Cyhoeddwyd: (2006)
Cyhoeddwyd: (2006)
Transient-induced latchup in CMOS integrated circuits
gan: Ker, Ming-Dou
Cyhoeddwyd: (2009)
gan: Ker, Ming-Dou
Cyhoeddwyd: (2009)
Nitride semiconductor devices fundamentals and applications /
gan: Morkoç, Hadis
Cyhoeddwyd: (2013)
gan: Morkoç, Hadis
Cyhoeddwyd: (2013)
Eitemau Tebyg
-
SiC materials and devices.
Cyhoeddwyd: (2006) -
CVD solutions for new directions in SiC and GaN epitaxy /
gan: Li, Xun
Cyhoeddwyd: (2015) -
HeteroSiC & WASMPE 2013 : selected, peer reviewed paper from the 2013 HeteroSiC-WASMPE, June 17-19, 2013, Nice, France /
Cyhoeddwyd: (2015) -
HeteroSiC & WASMPE 2011 : selected, peer reviewed papers from the 4th Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices for Power Electronics Applications (HeteroSiC & WASMPE 2011), June 27-30, 2011, Tours, France /
Cyhoeddwyd: (2012) -
SiC materials and devices
Cyhoeddwyd: (2007)