On the perspectives of wide-band gap power devices in electronic-based power conversion for renewable systems
Збережено в:
Автор: | Araujo, Samuel Vasconcelos |
---|---|
Співавтор: | ProQuest (Firm) |
Формат: | Дисертація Електронний ресурс eКнига |
Мова: | Англійська |
Опубліковано: |
Kassel [Germany] :
Kassel University Press,
2013.
|
Серія: | Elektrische Energiesysteme ;
Bd. 3 |
Предмети: | |
Онлайн доступ: | Click to View |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Схожі ресурси
Materials for high-temperature semiconductor devices
Опубліковано: (1995)
Опубліковано: (1995)
Device characterization and modeling of large-size GaN HEMTs
за авторством: Flores, Jaime Alberto Zamudio
Опубліковано: (2012)
за авторством: Flores, Jaime Alberto Zamudio
Опубліковано: (2012)
CVD solutions for new directions in SiC and GaN epitaxy /
за авторством: Li, Xun
Опубліковано: (2015)
за авторством: Li, Xun
Опубліковано: (2015)
Semiconductor physics and devices : basic principles /
за авторством: Neamen, Donald A.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Neamen, Donald A.
Опубліковано: (2003)
Semiconductor physics and devices : basic principles /
за авторством: Neamen, Donald A.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Neamen, Donald A.
Опубліковано: (2012)
Semiconductor physics and devices : basic principles /
за авторством: Neamen, Donald A.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Neamen, Donald A.
Опубліковано: (2003)
Electron paramagnetic resonance studies of point defects in AlGaN and SiC /
за авторством: Trinh, Xuan Thang
Опубліковано: (2015)
за авторством: Trinh, Xuan Thang
Опубліковано: (2015)
Functionalization of semiconductor surfaces
Опубліковано: (2012)
Опубліковано: (2012)
Defects and diffusion in semiconductors.
Опубліковано: (2013)
Опубліковано: (2013)
Defects and diffusion, theory and simulation : an annual retrospective II /
Опубліковано: (2010)
Опубліковано: (2010)
Defects and diffusion, theory and simulation : an annual retrospective I /
Опубліковано: (2009)
Опубліковано: (2009)
Defects and diffusion in semiconductors. an annual retrospective /
Опубліковано: (2008)
Опубліковано: (2008)
Radiation defect engineering
за авторством: Kozlovskiĭ, V. V. (Vitaliĭ Vasilʹevich)
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kozlovskiĭ, V. V. (Vitaliĭ Vasilʹevich)
Опубліковано: (2005)
SiC materials and devices
Опубліковано: (2007)
Опубліковано: (2007)
New organic semiconductors for applications in organic electronics
за авторством: Du, Chunyan
Опубліковано: (2010)
за авторством: Du, Chunyan
Опубліковано: (2010)
Advanced semiconductor heterostructures novel devices, potential device applications and basic properties /
Опубліковано: (2003)
Опубліковано: (2003)
Semiconductor macroatoms basic physics and quantum-device applications /
Опубліковано: (2005)
Опубліковано: (2005)
Reliability and radiation effects in compound semiconductors
за авторством: Johnston, Allan
Опубліковано: (2010)
за авторством: Johnston, Allan
Опубліковано: (2010)
Topics in high field transport in semiconductors
Опубліковано: (2001)
Опубліковано: (2001)
Properties of interacting low-dimensional systems
за авторством: Gumbs, Godfrey, 1948-
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gumbs, Godfrey, 1948-
Опубліковано: (2011)
Quantum dots research, technology and applications /
Опубліковано: (2008)
Опубліковано: (2008)
Defects and diffusion in semiconductors XIII /
Опубліковано: (2011)
Опубліковано: (2011)
Semiconductor electronic devices study book /
за авторством: Staras, Stanislovas
Опубліковано: (2010)
за авторством: Staras, Stanislovas
Опубліковано: (2010)
Semiconductor nanocrystal quantum dots synthesis, assembly, spectroscopy, and applications /
Опубліковано: (2008)
Опубліковано: (2008)
Diffusion in semiconductors, other than silicon : compilation /
Опубліковано: (2010)
Опубліковано: (2010)
Defects-recognition, imaging and physics in semiconductors XIV : selected, peer reviewed papers from the 14th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, September 25-29, 2011. Miyazaki, Japan /
Опубліковано: (2012)
Опубліковано: (2012)
Low-dimensional carriers under in-plane magnetic field novel phenomena /
за авторством: Simserides, Constantinos
Опубліковано: (2010)
за авторством: Simserides, Constantinos
Опубліковано: (2010)
Magnetism and superconductivity in low-dimensional systems utilization in future applications /
Опубліковано: (2008)
Опубліковано: (2008)
Molecular beam epitaxy from research to mass production /
Опубліковано: (2012)
Опубліковано: (2012)
Physical properties of the low-dimensional A[superscript]3B[superscript]6 and A[superscript]3B[superscript]3C[superscript]6[subscript]2 compounds
за авторством: Panich, Alexander M.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Panich, Alexander M.
Опубліковано: (2010)
Epioptics-11 proceedings of the 49th course of the International School of Solid State Physics : Erice, Italy, 19-26 July 2010 /
Опубліковано: (2012)
Опубліковано: (2012)
Silicon carbide power devices
за авторством: Baliga, B. Jayant, 1948-
Опубліковано: (2005)
за авторством: Baliga, B. Jayant, 1948-
Опубліковано: (2005)
Stanford R. Ovshinsky the science and technology of an American genius /
за авторством: Ovshinsky, Stanford R.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ovshinsky, Stanford R.
Опубліковано: (2008)
Laser electronics /
за авторством: Verdeyen Joseph T.
Опубліковано: (1995)
за авторством: Verdeyen Joseph T.
Опубліковано: (1995)
Transparent oxide electronics from materials to devices /
Опубліковано: (2012)
Опубліковано: (2012)
Epioptics-8 proceedings of the 33rd course of the International School of Solid State Physics : Erice, Italy, 20-26 July 2004 /
Опубліковано: (2006)
Опубліковано: (2006)
Epioptics-7 proceedings of the 24th course of the International School of Solid State Physics : Erice, Italy, 20-26 July 2002 /
Опубліковано: (2004)
Опубліковано: (2004)
Epioptics-9 proceedings of the 39th course of the International School of Solid State Physics : Erice, Italy, 20-26 July 2006 /
Опубліковано: (2008)
Опубліковано: (2008)
Epioptics-10 proceedings of the 43rd course of the International School of Solid State Physics, Erice, Italy, 19-26 July 2008 /
Опубліковано: (2010)
Опубліковано: (2010)
GaN-based materials and devices growth, fabrication, characterization and performance /
Опубліковано: (2004)
Опубліковано: (2004)
Схожі ресурси
-
Materials for high-temperature semiconductor devices
Опубліковано: (1995) -
Device characterization and modeling of large-size GaN HEMTs
за авторством: Flores, Jaime Alberto Zamudio
Опубліковано: (2012) -
CVD solutions for new directions in SiC and GaN epitaxy /
за авторством: Li, Xun
Опубліковано: (2015) -
Semiconductor physics and devices : basic principles /
за авторством: Neamen, Donald A.
Опубліковано: (2003) -
Semiconductor physics and devices : basic principles /
за авторством: Neamen, Donald A.
Опубліковано: (2012)