Silicon technologies ion implantation and thermal treatment /
The main purpose of this book is to remind new engineers in silicon foundry, the fundamental physical and chemical rules in major Front end treatments: oxidation, epitaxy, ion implantation and impurities diffusion.
Сохранить в:
| Соавтор: | |
|---|---|
| Другие авторы: | |
| Формат: | Электронный ресурс eКнига |
| Язык: | английский |
| Опубликовано: |
London : Hoboken, N.J. :
ISTE ; Wiley,
2011.
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
Схожие документы
Radiation defect engineering
по: Kozlovskiĭ, V. V. (Vitaliĭ Vasilʹevich)
Опубликовано: (2005)
по: Kozlovskiĭ, V. V. (Vitaliĭ Vasilʹevich)
Опубликовано: (2005)
Device characterization and modeling of large-size GaN HEMTs
по: Flores, Jaime Alberto Zamudio
Опубликовано: (2012)
по: Flores, Jaime Alberto Zamudio
Опубликовано: (2012)
Proceedings of the 10th Asian Conference on Solid State Ionics advanced materials for emerging technologies : Kandy, Sri Lanka, 12-16 June 2006 /
Опубликовано: (2006)
Опубликовано: (2006)
Proceedings of the 13th Asian Conference on Solid State Ionics ionics for a sustainable world: Sendai Japan, 17-20 July 2012 /
Опубликовано: (2012)
Опубликовано: (2012)
Ion implantation and activation.
по: Suzuki, Kunihiro
Опубликовано: (2013)
по: Suzuki, Kunihiro
Опубликовано: (2013)
Ion implantation and activation.
по: Suzuki, Kunihiro
Опубликовано: (2013)
по: Suzuki, Kunihiro
Опубликовано: (2013)
Advances in silicon carbide processing and applications
Опубликовано: (2004)
Опубликовано: (2004)
Fundamentals of silicon carbide technology : growth, characterization, devices and applications /
по: Kimoto, Tsunenobu, 1963-, и др.
Опубликовано: (2014)
по: Kimoto, Tsunenobu, 1963-, и др.
Опубликовано: (2014)
Compound semiconductor bulk materials and characterizations
по: Oda, O.
Опубликовано: (2007)
по: Oda, O.
Опубликовано: (2007)
Silicon carbide power devices
по: Baliga, B. Jayant, 1948-
Опубликовано: (2005)
по: Baliga, B. Jayant, 1948-
Опубликовано: (2005)
Doping in conjugated polymers
по: Kar, Pradip
Опубликовано: (2013)
по: Kar, Pradip
Опубликовано: (2013)
CMOS RF modeling, characterization and applications
Опубликовано: (2002)
Опубликовано: (2002)
An introduction to the physics and electrochemistry of semiconductors : fundamentals and applications /
по: Sharon, Maheshwar
Опубликовано: (2016)
по: Sharon, Maheshwar
Опубликовано: (2016)
Advances in III-V semiconductor nanowires and nanodevices
Опубликовано: (2011)
Опубликовано: (2011)
Semiconductor materials an introduction to basic principles /
по: Yacobi, B. G.
Опубликовано: (2003)
по: Yacobi, B. G.
Опубликовано: (2003)
Materials for high-temperature semiconductor devices
Опубликовано: (1995)
Опубликовано: (1995)
Electrical overstress (EOS) devices, circuits and systems /
по: Voldman, Steven H.
Опубликовано: (2014)
по: Voldman, Steven H.
Опубликовано: (2014)
Handbook of distributed feedback laser diodes /
по: Morthier, Geert, и др.
Опубликовано: (2013)
по: Morthier, Geert, и др.
Опубликовано: (2013)
CMOS technology
Опубликовано: (2011)
Опубликовано: (2011)
Silicon RF power MOSFETS
по: Baliga, B. Jayant, 1948-
Опубликовано: (2005)
по: Baliga, B. Jayant, 1948-
Опубликовано: (2005)
Transistors types, materials, and applications /
Опубликовано: (2010)
Опубликовано: (2010)
Compound semiconductor bulk materials and characterizations
по: Oda, Osamu
Опубликовано: (2012)
по: Oda, Osamu
Опубликовано: (2012)
Semiconductor electrochemistry /
по: Memming, Rüdiger, 1931-
Опубликовано: (2015)
по: Memming, Rüdiger, 1931-
Опубликовано: (2015)
Characterizations of as grown and functionalized epitaxial graphene grown on SiC surfaces /
по: Xia, Chao
Опубликовано: (2015)
по: Xia, Chao
Опубликовано: (2015)
III-nitride semiconductor materials /
Опубликовано: (2006)
Опубликовано: (2006)
GaN-based materials and devices growth, fabrication, characterization and performance /
Опубликовано: (2004)
Опубликовано: (2004)
Advances in semiconducting materials /
Опубликовано: (2009)
Опубликовано: (2009)
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
по: Chen, Jr-Tai
Опубликовано: (2015)
по: Chen, Jr-Tai
Опубликовано: (2015)
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
по: Chen, Jr-Tai
Опубликовано: (2015)
по: Chen, Jr-Tai
Опубликовано: (2015)
Transient-induced latchup in CMOS integrated circuits
по: Ker, Ming-Dou
Опубликовано: (2009)
по: Ker, Ming-Dou
Опубликовано: (2009)
Transparent oxide electronics from materials to devices /
Опубликовано: (2012)
Опубликовано: (2012)
Nitride semiconductor devices fundamentals and applications /
по: Morkoç, Hadis
Опубликовано: (2013)
по: Morkoç, Hadis
Опубликовано: (2013)
Geometric models for rolling-shutter and push-broom sensors /
по: Ringaby, Erik
Опубликовано: (2014)
по: Ringaby, Erik
Опубликовано: (2014)
Handbook of wafer bonding
Опубликовано: (2012)
Опубликовано: (2012)
Selected semiconductor research
по: Li, Ming-Fu
Опубликовано: (2011)
по: Li, Ming-Fu
Опубликовано: (2011)
Recent topics on modeling of semiconductor processes, devices, and circuits
по: Onur Topaloglu, Rasit
Опубликовано: (2011)
по: Onur Topaloglu, Rasit
Опубликовано: (2011)
Compound semiconductor integrated circuits
Опубликовано: (2003)
Опубликовано: (2003)
Modellierung der parasitaren passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen /
по: Heeb, Michael
Опубликовано: (2014)
по: Heeb, Michael
Опубликовано: (2014)
Semiconductor strain metrology principles and applications /
по: Wong, Terence K. S.
Опубликовано: (2012)
по: Wong, Terence K. S.
Опубликовано: (2012)
Oxide reliability a summary of silicon oxide wearout, breakdown, and reliability /
Опубликовано: (2002)
Опубликовано: (2002)