Silicon technologies ion implantation and thermal treatment /
The main purpose of this book is to remind new engineers in silicon foundry, the fundamental physical and chemical rules in major Front end treatments: oxidation, epitaxy, ion implantation and impurities diffusion.
Wedi'i Gadw mewn:
Awdur Corfforaethol: | ebrary, Inc |
---|---|
Awduron Eraill: | Baudrant, Annie |
Fformat: | Electronig eLyfr |
Iaith: | Saesneg |
Cyhoeddwyd: |
London : Hoboken, N.J. :
ISTE ; Wiley,
2011.
|
Pynciau: | |
Mynediad Ar-lein: | An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view |
Tagiau: |
Ychwanegu Tag
Dim Tagiau, Byddwch y cyntaf i dagio'r cofnod hwn!
|
Eitemau Tebyg
Radiation defect engineering
gan: Kozlovskiĭ, V. V. (Vitaliĭ Vasilʹevich)
Cyhoeddwyd: (2005)
gan: Kozlovskiĭ, V. V. (Vitaliĭ Vasilʹevich)
Cyhoeddwyd: (2005)
Device characterization and modeling of large-size GaN HEMTs
gan: Flores, Jaime Alberto Zamudio
Cyhoeddwyd: (2012)
gan: Flores, Jaime Alberto Zamudio
Cyhoeddwyd: (2012)
Ion implantation and activation.
gan: Suzuki, Kunihiro
Cyhoeddwyd: (2013)
gan: Suzuki, Kunihiro
Cyhoeddwyd: (2013)
Ion implantation and activation.
gan: Suzuki, Kunihiro
Cyhoeddwyd: (2013)
gan: Suzuki, Kunihiro
Cyhoeddwyd: (2013)
Proceedings of the 10th Asian Conference on Solid State Ionics advanced materials for emerging technologies : Kandy, Sri Lanka, 12-16 June 2006 /
Cyhoeddwyd: (2006)
Cyhoeddwyd: (2006)
Proceedings of the 13th Asian Conference on Solid State Ionics ionics for a sustainable world: Sendai Japan, 17-20 July 2012 /
Cyhoeddwyd: (2012)
Cyhoeddwyd: (2012)
Advances in silicon carbide processing and applications
Cyhoeddwyd: (2004)
Cyhoeddwyd: (2004)
Fundamentals of silicon carbide technology : growth, characterization, devices and applications /
gan: Kimoto, Tsunenobu, 1963-, et al.
Cyhoeddwyd: (2014)
gan: Kimoto, Tsunenobu, 1963-, et al.
Cyhoeddwyd: (2014)
Compound semiconductor bulk materials and characterizations
gan: Oda, O.
Cyhoeddwyd: (2007)
gan: Oda, O.
Cyhoeddwyd: (2007)
Silicon carbide power devices
gan: Baliga, B. Jayant, 1948-
Cyhoeddwyd: (2005)
gan: Baliga, B. Jayant, 1948-
Cyhoeddwyd: (2005)
An introduction to the physics and electrochemistry of semiconductors : fundamentals and applications /
gan: Sharon, Maheshwar
Cyhoeddwyd: (2016)
gan: Sharon, Maheshwar
Cyhoeddwyd: (2016)
CMOS RF modeling, characterization and applications
Cyhoeddwyd: (2002)
Cyhoeddwyd: (2002)
Doping in conjugated polymers
gan: Kar, Pradip
Cyhoeddwyd: (2013)
gan: Kar, Pradip
Cyhoeddwyd: (2013)
Advances in III-V semiconductor nanowires and nanodevices
Cyhoeddwyd: (2011)
Cyhoeddwyd: (2011)
Semiconductor materials an introduction to basic principles /
gan: Yacobi, B. G.
Cyhoeddwyd: (2003)
gan: Yacobi, B. G.
Cyhoeddwyd: (2003)
Handbook of distributed feedback laser diodes /
gan: Morthier, Geert, et al.
Cyhoeddwyd: (2013)
gan: Morthier, Geert, et al.
Cyhoeddwyd: (2013)
Materials for high-temperature semiconductor devices
Cyhoeddwyd: (1995)
Cyhoeddwyd: (1995)
Electrical overstress (EOS) devices, circuits and systems /
gan: Voldman, Steven H.
Cyhoeddwyd: (2014)
gan: Voldman, Steven H.
Cyhoeddwyd: (2014)
CMOS technology
Cyhoeddwyd: (2011)
Cyhoeddwyd: (2011)
Characterizations of as grown and functionalized epitaxial graphene grown on SiC surfaces /
gan: Xia, Chao
Cyhoeddwyd: (2015)
gan: Xia, Chao
Cyhoeddwyd: (2015)
Transistors types, materials, and applications /
Cyhoeddwyd: (2010)
Cyhoeddwyd: (2010)
Compound semiconductor bulk materials and characterizations
gan: Oda, Osamu
Cyhoeddwyd: (2012)
gan: Oda, Osamu
Cyhoeddwyd: (2012)
Semiconductor electrochemistry /
gan: Memming, Rüdiger, 1931-
Cyhoeddwyd: (2015)
gan: Memming, Rüdiger, 1931-
Cyhoeddwyd: (2015)
Silicon RF power MOSFETS
gan: Baliga, B. Jayant, 1948-
Cyhoeddwyd: (2005)
gan: Baliga, B. Jayant, 1948-
Cyhoeddwyd: (2005)
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
gan: Chen, Jr-Tai
Cyhoeddwyd: (2015)
gan: Chen, Jr-Tai
Cyhoeddwyd: (2015)
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
gan: Chen, Jr-Tai
Cyhoeddwyd: (2015)
gan: Chen, Jr-Tai
Cyhoeddwyd: (2015)
GaN-based materials and devices growth, fabrication, characterization and performance /
Cyhoeddwyd: (2004)
Cyhoeddwyd: (2004)
III-nitride semiconductor materials /
Cyhoeddwyd: (2006)
Cyhoeddwyd: (2006)
Advances in semiconducting materials /
Cyhoeddwyd: (2009)
Cyhoeddwyd: (2009)
Geometric models for rolling-shutter and push-broom sensors /
gan: Ringaby, Erik
Cyhoeddwyd: (2014)
gan: Ringaby, Erik
Cyhoeddwyd: (2014)
Transient-induced latchup in CMOS integrated circuits
gan: Ker, Ming-Dou
Cyhoeddwyd: (2009)
gan: Ker, Ming-Dou
Cyhoeddwyd: (2009)
Transparent oxide electronics from materials to devices /
Cyhoeddwyd: (2012)
Cyhoeddwyd: (2012)
Nitride semiconductor devices fundamentals and applications /
gan: Morkoç, Hadis
Cyhoeddwyd: (2013)
gan: Morkoç, Hadis
Cyhoeddwyd: (2013)
Handbook of wafer bonding
Cyhoeddwyd: (2012)
Cyhoeddwyd: (2012)
Selected semiconductor research
gan: Li, Ming-Fu
Cyhoeddwyd: (2011)
gan: Li, Ming-Fu
Cyhoeddwyd: (2011)
Recent topics on modeling of semiconductor processes, devices, and circuits
gan: Onur Topaloglu, Rasit
Cyhoeddwyd: (2011)
gan: Onur Topaloglu, Rasit
Cyhoeddwyd: (2011)
Compound semiconductor integrated circuits
Cyhoeddwyd: (2003)
Cyhoeddwyd: (2003)
Modellierung der parasitaren passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen /
gan: Heeb, Michael
Cyhoeddwyd: (2014)
gan: Heeb, Michael
Cyhoeddwyd: (2014)
Semiconductor strain metrology principles and applications /
gan: Wong, Terence K. S.
Cyhoeddwyd: (2012)
gan: Wong, Terence K. S.
Cyhoeddwyd: (2012)
Oxide reliability a summary of silicon oxide wearout, breakdown, and reliability /
Cyhoeddwyd: (2002)
Cyhoeddwyd: (2002)
Eitemau Tebyg
-
Radiation defect engineering
gan: Kozlovskiĭ, V. V. (Vitaliĭ Vasilʹevich)
Cyhoeddwyd: (2005) -
Device characterization and modeling of large-size GaN HEMTs
gan: Flores, Jaime Alberto Zamudio
Cyhoeddwyd: (2012) -
Ion implantation and activation.
gan: Suzuki, Kunihiro
Cyhoeddwyd: (2013) -
Ion implantation and activation.
gan: Suzuki, Kunihiro
Cyhoeddwyd: (2013) -
Proceedings of the 10th Asian Conference on Solid State Ionics advanced materials for emerging technologies : Kandy, Sri Lanka, 12-16 June 2006 /
Cyhoeddwyd: (2006)