High-k gate dielectrics for CMOS technology

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Співавтор: ebrary, Inc
Інші автори: He, Gang, Sun, Zhaoqi
Формат: Електронний ресурс eКнига
Мова:Англійська
Опубліковано: Weinheim : Wiley-VCH, 2012.
Предмети:
Онлайн доступ:An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Зміст:
  • pt. 1. Scaling and challenging of Si-based CMOS
  • pt. 2. High-k deposition and materials characterization
  • pt. 3. Challenge in interface engineering and electrode
  • pt. 4. Development in non-Si-based CMOS technology
  • pt. 5. High-k Application in novel devices
  • pt. 6. Challenge and directions.