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Transient-induced latchup in CMOS integrated circuits

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Ker, Ming-Dou
Körperschaft:	ebrary, Inc
Weitere Verfasser:	Hsu, Sheng-Fu
Format:	Elektronisch E-Book
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Singapore ; Hoboken, NJ : Wiley, c2009.
Schlagworte:	Metal oxide semiconductors, Complementary > Defects. Metal oxide semiconductors, Complementary > Reliability. Electronic books.
Online-Zugang:	An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view
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