Electron paramagnetic resonance studies of point defects in AlGaN and SiC /
Uloženo v:
Hlavní autor: | Trinh, Xuan Thang (Autor) |
---|---|
Médium: | Elektronický zdroj E-kniha |
Jazyk: | angličtina |
Vydáno: |
Linkoping, Sweden :
Linkoping University Institute of Technology,
2015.
|
Edice: | Linkoping studies in science and technology. Dissertation ;
Number 1670. |
Témata: | |
On-line přístup: | Click to View |
Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
Podobné jednotky
Defects and diffusion in semiconductors.
Vydáno: (2013)
Vydáno: (2013)
Defects and diffusion in semiconductors. an annual retrospective /
Vydáno: (2008)
Vydáno: (2008)
Defects and diffusion, theory and simulation : an annual retrospective I /
Vydáno: (2009)
Vydáno: (2009)
Defects and diffusion, theory and simulation : an annual retrospective II /
Vydáno: (2010)
Vydáno: (2010)
Defects and diffusion in semiconductors XIII /
Vydáno: (2011)
Vydáno: (2011)
Defects-recognition, imaging and physics in semiconductors XIV : selected, peer reviewed papers from the 14th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, September 25-29, 2011. Miyazaki, Japan /
Vydáno: (2012)
Vydáno: (2012)
SiC materials and devices
Vydáno: (2007)
Vydáno: (2007)
Radiation defect engineering
Autor: Kozlovskiĭ, V. V. (Vitaliĭ Vasilʹevich)
Vydáno: (2005)
Autor: Kozlovskiĭ, V. V. (Vitaliĭ Vasilʹevich)
Vydáno: (2005)
Functionalization of semiconductor surfaces
Vydáno: (2012)
Vydáno: (2012)
On the perspectives of wide-band gap power devices in electronic-based power conversion for renewable systems
Autor: Araujo, Samuel Vasconcelos
Vydáno: (2013)
Autor: Araujo, Samuel Vasconcelos
Vydáno: (2013)
Semiconductor physics and devices : basic principles /
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2003)
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2003)
Semiconductor physics and devices : basic principles /
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2003)
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2003)
Semiconductor physics and devices : basic principles /
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2012)
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2012)
CVD solutions for new directions in SiC and GaN epitaxy /
Autor: Li, Xun
Vydáno: (2015)
Autor: Li, Xun
Vydáno: (2015)
Reliability and radiation effects in compound semiconductors
Autor: Johnston, Allan
Vydáno: (2010)
Autor: Johnston, Allan
Vydáno: (2010)
Topics in high field transport in semiconductors
Vydáno: (2001)
Vydáno: (2001)
Advanced semiconductor heterostructures novel devices, potential device applications and basic properties /
Vydáno: (2003)
Vydáno: (2003)
Semiconductor macroatoms basic physics and quantum-device applications /
Vydáno: (2005)
Vydáno: (2005)
Properties of interacting low-dimensional systems
Autor: Gumbs, Godfrey, 1948-
Vydáno: (2011)
Autor: Gumbs, Godfrey, 1948-
Vydáno: (2011)
Quantum dots research, technology and applications /
Vydáno: (2008)
Vydáno: (2008)
SiC materials and devices.
Vydáno: (2006)
Vydáno: (2006)
Semiconductor nanocrystal quantum dots synthesis, assembly, spectroscopy, and applications /
Vydáno: (2008)
Vydáno: (2008)
New organic semiconductors for applications in organic electronics
Autor: Du, Chunyan
Vydáno: (2010)
Autor: Du, Chunyan
Vydáno: (2010)
Diffusion in semiconductors, other than silicon : compilation /
Vydáno: (2010)
Vydáno: (2010)
GaN-based materials and devices growth, fabrication, characterization and performance /
Vydáno: (2004)
Vydáno: (2004)
Characterizations of as grown and functionalized epitaxial graphene grown on SiC surfaces /
Autor: Xia, Chao
Vydáno: (2015)
Autor: Xia, Chao
Vydáno: (2015)
Transient-induced latchup in CMOS integrated circuits
Autor: Ker, Ming-Dou
Vydáno: (2009)
Autor: Ker, Ming-Dou
Vydáno: (2009)
Low-dimensional carriers under in-plane magnetic field novel phenomena /
Autor: Simserides, Constantinos
Vydáno: (2010)
Autor: Simserides, Constantinos
Vydáno: (2010)
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
Autor: Chen, Jr-Tai
Vydáno: (2015)
Autor: Chen, Jr-Tai
Vydáno: (2015)
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
Autor: Chen, Jr-Tai
Vydáno: (2015)
Autor: Chen, Jr-Tai
Vydáno: (2015)
Molecular beam epitaxy from research to mass production /
Vydáno: (2012)
Vydáno: (2012)
Magnetism and superconductivity in low-dimensional systems utilization in future applications /
Vydáno: (2008)
Vydáno: (2008)
Physical properties of the low-dimensional A[superscript]3B[superscript]6 and A[superscript]3B[superscript]3C[superscript]6[subscript]2 compounds
Autor: Panich, Alexander M.
Vydáno: (2010)
Autor: Panich, Alexander M.
Vydáno: (2010)
Epioptics-11 proceedings of the 49th course of the International School of Solid State Physics : Erice, Italy, 19-26 July 2010 /
Vydáno: (2012)
Vydáno: (2012)
Point defect energies /
Vydáno: (2015)
Vydáno: (2015)
Stanford R. Ovshinsky the science and technology of an American genius /
Autor: Ovshinsky, Stanford R.
Vydáno: (2008)
Autor: Ovshinsky, Stanford R.
Vydáno: (2008)
Epioptics-9 proceedings of the 39th course of the International School of Solid State Physics : Erice, Italy, 20-26 July 2006 /
Vydáno: (2008)
Vydáno: (2008)
Epioptics-7 proceedings of the 24th course of the International School of Solid State Physics : Erice, Italy, 20-26 July 2002 /
Vydáno: (2004)
Vydáno: (2004)
Epioptics-10 proceedings of the 43rd course of the International School of Solid State Physics, Erice, Italy, 19-26 July 2008 /
Vydáno: (2010)
Vydáno: (2010)
Epioptics-8 proceedings of the 33rd course of the International School of Solid State Physics : Erice, Italy, 20-26 July 2004 /
Vydáno: (2006)
Vydáno: (2006)
Podobné jednotky
-
Defects and diffusion in semiconductors.
Vydáno: (2013) -
Defects and diffusion in semiconductors. an annual retrospective /
Vydáno: (2008) -
Defects and diffusion, theory and simulation : an annual retrospective I /
Vydáno: (2009) -
Defects and diffusion, theory and simulation : an annual retrospective II /
Vydáno: (2010) -
Defects and diffusion in semiconductors XIII /
Vydáno: (2011)