Modellierung der parasitaren passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen /
Uloženo v:
Hlavní autor: | Heeb, Michael (Autor) |
---|---|
Médium: | Elektronický zdroj E-kniha |
Jazyk: | němčina |
Vydáno: |
Kassel, Germany :
Kassel University Press,
2014.
|
Edice: | Elektrische Energiesysteme ;
Band 6 |
Témata: | |
On-line přístup: | Click to View |
Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
Podobné jednotky
Database needs for modeling and simulation of plasma processing
Vydáno: (1996)
Vydáno: (1996)
Compound semiconductor bulk materials and characterizations
Autor: Oda, O.
Vydáno: (2007)
Autor: Oda, O.
Vydáno: (2007)
HeteroSiC & WASMPE 2013 : selected, peer reviewed paper from the 2013 HeteroSiC-WASMPE, June 17-19, 2013, Nice, France /
Vydáno: (2015)
Vydáno: (2015)
HeteroSiC & WASMPE 2011 : selected, peer reviewed papers from the 4th Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices for Power Electronics Applications (HeteroSiC & WASMPE 2011), June 27-30, 2011, Tours, France /
Vydáno: (2012)
Vydáno: (2012)
CMOS RF modeling, characterization and applications
Vydáno: (2002)
Vydáno: (2002)
An introduction to the physics and electrochemistry of semiconductors : fundamentals and applications /
Autor: Sharon, Maheshwar
Vydáno: (2016)
Autor: Sharon, Maheshwar
Vydáno: (2016)
Advances in III-V semiconductor nanowires and nanodevices
Vydáno: (2011)
Vydáno: (2011)
Semiconductor materials an introduction to basic principles /
Autor: Yacobi, B. G.
Vydáno: (2003)
Autor: Yacobi, B. G.
Vydáno: (2003)
Mosfet modeling for VLSI simulation theory and practice /
Autor: Arora, N. (Narain), 1943-
Vydáno: (2007)
Autor: Arora, N. (Narain), 1943-
Vydáno: (2007)
Electrical overstress (EOS) devices, circuits and systems /
Autor: Voldman, Steven H.
Vydáno: (2014)
Autor: Voldman, Steven H.
Vydáno: (2014)
Materials for high-temperature semiconductor devices
Vydáno: (1995)
Vydáno: (1995)
Silicon technologies ion implantation and thermal treatment /
Vydáno: (2011)
Vydáno: (2011)
Handbook of distributed feedback laser diodes /
Autor: Morthier, Geert, a další
Vydáno: (2013)
Autor: Morthier, Geert, a další
Vydáno: (2013)
Transistors types, materials, and applications /
Vydáno: (2010)
Vydáno: (2010)
Compound semiconductor bulk materials and characterizations
Autor: Oda, Osamu
Vydáno: (2012)
Autor: Oda, Osamu
Vydáno: (2012)
Semiconductor electrochemistry /
Autor: Memming, Rüdiger, 1931-
Vydáno: (2015)
Autor: Memming, Rüdiger, 1931-
Vydáno: (2015)
Characterizations of as grown and functionalized epitaxial graphene grown on SiC surfaces /
Autor: Xia, Chao
Vydáno: (2015)
Autor: Xia, Chao
Vydáno: (2015)
III-nitride semiconductor materials /
Vydáno: (2006)
Vydáno: (2006)
Advances in silicon carbide processing and applications
Vydáno: (2004)
Vydáno: (2004)
GaN-based materials and devices growth, fabrication, characterization and performance /
Vydáno: (2004)
Vydáno: (2004)
Advances in semiconducting materials /
Vydáno: (2009)
Vydáno: (2009)
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
Autor: Chen, Jr-Tai
Vydáno: (2015)
Autor: Chen, Jr-Tai
Vydáno: (2015)
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
Autor: Chen, Jr-Tai
Vydáno: (2015)
Autor: Chen, Jr-Tai
Vydáno: (2015)
Geometric models for rolling-shutter and push-broom sensors /
Autor: Ringaby, Erik
Vydáno: (2014)
Autor: Ringaby, Erik
Vydáno: (2014)
Transparent oxide electronics from materials to devices /
Vydáno: (2012)
Vydáno: (2012)
Transient-induced latchup in CMOS integrated circuits
Autor: Ker, Ming-Dou
Vydáno: (2009)
Autor: Ker, Ming-Dou
Vydáno: (2009)
Nitride semiconductor devices fundamentals and applications /
Autor: Morkoç, Hadis
Vydáno: (2013)
Autor: Morkoç, Hadis
Vydáno: (2013)
Handbook of wafer bonding
Vydáno: (2012)
Vydáno: (2012)
Selected semiconductor research
Autor: Li, Ming-Fu
Vydáno: (2011)
Autor: Li, Ming-Fu
Vydáno: (2011)
Recent topics on modeling of semiconductor processes, devices, and circuits
Autor: Onur Topaloglu, Rasit
Vydáno: (2011)
Autor: Onur Topaloglu, Rasit
Vydáno: (2011)
Compound semiconductor integrated circuits
Vydáno: (2003)
Vydáno: (2003)
CMOS technology
Vydáno: (2011)
Vydáno: (2011)
Semiconductor strain metrology principles and applications /
Autor: Wong, Terence K. S.
Vydáno: (2012)
Autor: Wong, Terence K. S.
Vydáno: (2012)
Fundamentals of silicon carbide technology : growth, characterization, devices and applications /
Autor: Kimoto, Tsunenobu, 1963-, a další
Vydáno: (2014)
Autor: Kimoto, Tsunenobu, 1963-, a další
Vydáno: (2014)
Silicon carbide power devices
Autor: Baliga, B. Jayant, 1948-
Vydáno: (2005)
Autor: Baliga, B. Jayant, 1948-
Vydáno: (2005)
SiC materials and devices.
Vydáno: (2006)
Vydáno: (2006)
Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductor devices
Autor: Levinshteĭn, M. E. (Mikhail Efimovich)
Vydáno: (2005)
Autor: Levinshteĭn, M. E. (Mikhail Efimovich)
Vydáno: (2005)
The physics and modeling of MOSFETS surface-potential model HiSIM /
Autor: Miura-Mattausch, Mitiko, 1949-
Vydáno: (2008)
Autor: Miura-Mattausch, Mitiko, 1949-
Vydáno: (2008)
The story of semiconductors
Autor: Orton, J. W. (John Wilfred)
Vydáno: (2004)
Autor: Orton, J. W. (John Wilfred)
Vydáno: (2004)
Semiconductor nanostructures for optoelectronic applications
Vydáno: (2004)
Vydáno: (2004)
Podobné jednotky
-
Database needs for modeling and simulation of plasma processing
Vydáno: (1996) -
Compound semiconductor bulk materials and characterizations
Autor: Oda, O.
Vydáno: (2007) -
HeteroSiC & WASMPE 2013 : selected, peer reviewed paper from the 2013 HeteroSiC-WASMPE, June 17-19, 2013, Nice, France /
Vydáno: (2015) -
HeteroSiC & WASMPE 2011 : selected, peer reviewed papers from the 4th Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices for Power Electronics Applications (HeteroSiC & WASMPE 2011), June 27-30, 2011, Tours, France /
Vydáno: (2012) -
CMOS RF modeling, characterization and applications
Vydáno: (2002)