Defects and diffusion, theory and simulation : an annual retrospective II /
Uloženo v:
| Další autoři: | |
|---|---|
| Médium: | Elektronický zdroj E-kniha |
| Jazyk: | angličtina |
| Vydáno: |
Stafa-Zurich ; Enfield, NH :
Trans Tech Publications,
[2010]
|
| Edice: | Diffusion and defect data. Defect and diffusion forum ;
v. 307. |
| Témata: | |
| On-line přístup: | An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
Podobné jednotky
Defects and diffusion, theory and simulation : an annual retrospective II /
Vydáno: (2010)
Vydáno: (2010)
Defects and diffusion, theory and simulation : an annual retrospective I /
Vydáno: (2009)
Vydáno: (2009)
Defects and diffusion, theory and simulation : an annual retrospective I /
Vydáno: (2009)
Vydáno: (2009)
Defects and diffusion in semiconductors. an annual retrospective /
Vydáno: (2008)
Vydáno: (2008)
Defects and diffusion in semiconductors. an annual retrospective /
Vydáno: (2008)
Vydáno: (2008)
Defects and diffusion in semiconductors.
Vydáno: (2013)
Vydáno: (2013)
Defects and diffusion in semiconductors.
Vydáno: (2013)
Vydáno: (2013)
Defects and diffusion in semiconductors XIII /
Vydáno: (2011)
Vydáno: (2011)
Defects and diffusion in semiconductors XIII /
Vydáno: (2011)
Vydáno: (2011)
Electron paramagnetic resonance studies of point defects in AlGaN and SiC /
Autor: Trinh, Xuan Thang
Vydáno: (2015)
Autor: Trinh, Xuan Thang
Vydáno: (2015)
Electron paramagnetic resonance studies of point defects in AlGaN and SiC /
Autor: Trinh, Xuan Thang
Vydáno: (2015)
Autor: Trinh, Xuan Thang
Vydáno: (2015)
Defects-recognition, imaging and physics in semiconductors XIV : selected, peer reviewed papers from the 14th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, September 25-29, 2011. Miyazaki, Japan /
Vydáno: (2012)
Vydáno: (2012)
Defects-recognition, imaging and physics in semiconductors XIV : selected, peer reviewed papers from the 14th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, September 25-29, 2011. Miyazaki, Japan /
Vydáno: (2012)
Vydáno: (2012)
Diffusion in semiconductors, other than silicon : compilation /
Vydáno: (2010)
Vydáno: (2010)
Diffusion in semiconductors, other than silicon : compilation /
Vydáno: (2010)
Vydáno: (2010)
Radiation defect engineering
Autor: Kozlovskiĭ, V. V. (Vitaliĭ Vasilʹevich)
Vydáno: (2005)
Autor: Kozlovskiĭ, V. V. (Vitaliĭ Vasilʹevich)
Vydáno: (2005)
Radiation defect engineering
Autor: Kozlovskiĭ, V. V. (Vitaliĭ Vasilʹevich)
Vydáno: (2005)
Autor: Kozlovskiĭ, V. V. (Vitaliĭ Vasilʹevich)
Vydáno: (2005)
Defects and diffusion, theory and simulation : an annual retrospective III /
Vydáno: (2012)
Vydáno: (2012)
Defects and diffusion, theory and simulation : an annual retrospective III /
Vydáno: (2012)
Vydáno: (2012)
Defects and diffusion in metals : an annual retrospective XI /
Vydáno: (2009)
Vydáno: (2009)
Defects and diffusion in metals : an annual retrospective X /
Vydáno: (2008)
Vydáno: (2008)
Defects and diffusion in metals : an annual retrospective IX /
Vydáno: (2007)
Vydáno: (2007)
Defects and diffusion in metals : an annual retrospective XI /
Vydáno: (2009)
Vydáno: (2009)
Defects and diffusion in metals : an annual retrospective X /
Vydáno: (2008)
Vydáno: (2008)
Defects and diffusion in metals : an annual retrospective IX /
Vydáno: (2007)
Vydáno: (2007)
Functionalization of semiconductor surfaces
Vydáno: (2012)
Vydáno: (2012)
Functionalization of semiconductor surfaces
Vydáno: (2012)
Vydáno: (2012)
On the perspectives of wide-band gap power devices in electronic-based power conversion for renewable systems
Autor: Araujo, Samuel Vasconcelos
Vydáno: (2013)
Autor: Araujo, Samuel Vasconcelos
Vydáno: (2013)
On the perspectives of wide-band gap power devices in electronic-based power conversion for renewable systems
Autor: Araujo, Samuel Vasconcelos
Vydáno: (2013)
Autor: Araujo, Samuel Vasconcelos
Vydáno: (2013)
Semiconductor physics and devices : basic principles /
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2003)
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2003)
Semiconductor physics and devices : basic principles /
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2012)
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2012)
Semiconductor physics and devices : basic principles /
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2003)
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2003)
Semiconductor physics and devices : basic principles /
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2003)
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2003)
Semiconductor physics and devices : basic principles /
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2003)
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2003)
Semiconductor physics and devices : basic principles /
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2012)
Autor: Neamen, Donald A.
Vydáno: (2012)
Reliability and radiation effects in compound semiconductors
Autor: Johnston, Allan
Vydáno: (2010)
Autor: Johnston, Allan
Vydáno: (2010)
Reliability and radiation effects in compound semiconductors
Autor: Johnston, Allan
Vydáno: (2010)
Autor: Johnston, Allan
Vydáno: (2010)
Diffusion and defects in TiO2 : a compilation /
Vydáno: (2013)
Vydáno: (2013)
Diffusion and defects in TiO2 : a compilation /
Vydáno: (2013)
Vydáno: (2013)
Advanced semiconductor heterostructures novel devices, potential device applications and basic properties /
Vydáno: (2003)
Vydáno: (2003)