III-nitride semiconductor materials /
Збережено в:
Співавтор: | ebrary, Inc |
---|---|
Інші автори: | Feng, Zhe Chuan |
Формат: | Електронний ресурс eКнига |
Мова: | Англійська |
Опубліковано: |
London :
Imperial College Press,
c2006.
|
Предмети: | |
Онлайн доступ: | An electronic book accessible through the World Wide Web; click to view |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Схожі ресурси
Nitride semiconductor devices fundamentals and applications /
за авторством: Morkoç, Hadis
Опубліковано: (2013)
за авторством: Morkoç, Hadis
Опубліковано: (2013)
GaN-based materials and devices growth, fabrication, characterization and performance /
Опубліковано: (2004)
Опубліковано: (2004)
Nitrides and oxynitrides III : proceedings of the 5th International Symposium on Nitrides, Anadolu University, Eskisehir, Turkey, April 3-5, 2006 /
Опубліковано: (2007)
Опубліковано: (2007)
CVD solutions for new directions in SiC and GaN epitaxy /
за авторством: Li, Xun
Опубліковано: (2015)
за авторством: Li, Xun
Опубліковано: (2015)
Nitride ceramics : combustion synthesis, properties, and applications /
Опубліковано: (2015)
Опубліковано: (2015)
Device characterization and modeling of large-size GaN HEMTs
за авторством: Flores, Jaime Alberto Zamudio
Опубліковано: (2012)
за авторством: Flores, Jaime Alberto Zamudio
Опубліковано: (2012)
Epitaxial Growth of Nitrides on Germanium /
за авторством: Lieten, Ruben
Опубліковано: (2008)
за авторством: Lieten, Ruben
Опубліковано: (2008)
Materials for high-temperature semiconductor devices
Опубліковано: (1995)
Опубліковано: (1995)
An introduction to the physics and electrochemistry of semiconductors : fundamentals and applications /
за авторством: Sharon, Maheshwar
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sharon, Maheshwar
Опубліковано: (2016)
Advances in III-V semiconductor nanowires and nanodevices
Опубліковано: (2011)
Опубліковано: (2011)
Semiconductor strain metrology principles and applications /
за авторством: Wong, Terence K. S.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Wong, Terence K. S.
Опубліковано: (2012)
GaN transistors for efficient power conversion /
за авторством: Lidow, Alex
Опубліковано: (2015)
за авторством: Lidow, Alex
Опубліковано: (2015)
Recent topics on modeling of semiconductor processes, devices, and circuits
за авторством: Onur Topaloglu, Rasit
Опубліковано: (2011)
за авторством: Onur Topaloglu, Rasit
Опубліковано: (2011)
Advances in semiconducting materials /
Опубліковано: (2009)
Опубліковано: (2009)
The story of semiconductors
за авторством: Orton, J. W. (John Wilfred)
Опубліковано: (2004)
за авторством: Orton, J. W. (John Wilfred)
Опубліковано: (2004)
Compound semiconductor bulk materials and characterizations
за авторством: Oda, O.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Oda, O.
Опубліковано: (2007)
Practical nitriding and ferritic nitrocarburizing
за авторством: Pye, David, 1939-
Опубліковано: (2003)
за авторством: Pye, David, 1939-
Опубліковано: (2003)
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
за авторством: Chen, Jr-Tai
Опубліковано: (2015)
за авторством: Chen, Jr-Tai
Опубліковано: (2015)
MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures /
за авторством: Chen, Jr-Tai
Опубліковано: (2015)
за авторством: Chen, Jr-Tai
Опубліковано: (2015)
Semiconductor packaging materials interaction and reliability /
Опубліковано: (2011)
Опубліковано: (2011)
Semiconductor materials an introduction to basic principles /
за авторством: Yacobi, B. G.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Yacobi, B. G.
Опубліковано: (2003)
Compound semiconductor bulk materials and characterizations
за авторством: Oda, Osamu
Опубліковано: (2012)
за авторством: Oda, Osamu
Опубліковано: (2012)
HeteroSiC & WASMPE 2011 : selected, peer reviewed papers from the 4th Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices for Power Electronics Applications (HeteroSiC & WASMPE 2011), June 27-30, 2011, Tours, France /
Опубліковано: (2012)
Опубліковано: (2012)
Semiconductor electrochemistry /
за авторством: Memming, Rüdiger, 1931-
Опубліковано: (2015)
за авторством: Memming, Rüdiger, 1931-
Опубліковано: (2015)
An essential guide to electronic material surfaces and interfaces /
за авторством: Brillson, L. J.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Brillson, L. J.
Опубліковано: (2016)
Electrical characterization of organic electronic materials and devices
за авторством: Stallinga, Peter, 1966-
Опубліковано: (2009)
за авторством: Stallinga, Peter, 1966-
Опубліковано: (2009)
HeteroSiC & WASMPE 2013 : selected, peer reviewed paper from the 2013 HeteroSiC-WASMPE, June 17-19, 2013, Nice, France /
Опубліковано: (2015)
Опубліковано: (2015)
Selected semiconductor research
за авторством: Li, Ming-Fu
Опубліковано: (2011)
за авторством: Li, Ming-Fu
Опубліковано: (2011)
Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductor devices
за авторством: Levinshteĭn, M. E. (Mikhail Efimovich)
Опубліковано: (2005)
за авторством: Levinshteĭn, M. E. (Mikhail Efimovich)
Опубліковано: (2005)
Compound semiconductor integrated circuits
Опубліковано: (2003)
Опубліковано: (2003)
Transistors types, materials, and applications /
Опубліковано: (2010)
Опубліковано: (2010)
CMOS RF modeling, characterization and applications
Опубліковано: (2002)
Опубліковано: (2002)
Semiconductor nanostructures for optoelectronic applications
Опубліковано: (2004)
Опубліковано: (2004)
Organic light-emitting transistors : towards the next generation display technology /
за авторством: Muccini, Michele, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Muccini, Michele, та інші
Опубліковано: (2016)
Transparent oxide electronics from materials to devices /
Опубліковано: (2012)
Опубліковано: (2012)
Self-organized organic semiconductors from materials to device applications /
за авторством: Li, Quan, 1965-
Опубліковано: (2011)
за авторством: Li, Quan, 1965-
Опубліковано: (2011)
Silicon technologies ion implantation and thermal treatment /
Опубліковано: (2011)
Опубліковано: (2011)
Electrical overstress (EOS) devices, circuits and systems /
за авторством: Voldman, Steven H.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Voldman, Steven H.
Опубліковано: (2014)
Handbook of distributed feedback laser diodes /
за авторством: Morthier, Geert, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Morthier, Geert, та інші
Опубліковано: (2013)
Characterizations of as grown and functionalized epitaxial graphene grown on SiC surfaces /
за авторством: Xia, Chao
Опубліковано: (2015)
за авторством: Xia, Chao
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Nitride semiconductor devices fundamentals and applications /
за авторством: Morkoç, Hadis
Опубліковано: (2013) -
GaN-based materials and devices growth, fabrication, characterization and performance /
Опубліковано: (2004) -
Nitrides and oxynitrides III : proceedings of the 5th International Symposium on Nitrides, Anadolu University, Eskisehir, Turkey, April 3-5, 2006 /
Опубліковано: (2007) -
CVD solutions for new directions in SiC and GaN epitaxy /
за авторством: Li, Xun
Опубліковано: (2015) -
Nitride ceramics : combustion synthesis, properties, and applications /
Опубліковано: (2015)